过去，碳化硅生产商将其用于高温环境下的设备，如轴承，机械零件，汽车制动器，甚至是磨具。将碳化硅应用于电子和半导体领域具有以下优势：

    -高导热率120-270W/mK-低热膨胀系数的SiC—10^-6/C-高zui大电流密度的SiC性能使其成为优良的SiC材料，特别是与SiC相比，SiC更具优势。由于碳化硅的材料特性，它在大功率、高电流和高热导率方面有很大的优越性。

    近几年来，碳化硅在大功率、MOSFET、肖特基二极管、功率模块等半导体工业中得到了广泛的应用。虽然硅MOSFET比普通900V要贵一些，但是碳化硅可以达到10倍的峰值电压。

    切换损失也很小，并且能够支持更高的工作频率，使得SiC能够达到当前的工作效率，尤其是在600伏特以上时。采用合适的工艺方法，可使碳化硅装置的损耗降低近50%，系统体积降低300%，系统总成本降低20%。由于碳化硅整系尺寸的减小，使得其在质量和空间上的应用有了很大的发展。

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